硅鍺超晶格及低維量子結構
出版時間：2004-8-1 出版社：上?？茖W技術出版社 作者：蔣最敏,黃大鳴,陸?,盛篪 頁數(shù)：294 字數(shù)：288000
內容概要
本書比較系統(tǒng)地介紹了Si分子束外延和Si1-xGex/Si低維量子體系研究工作的發(fā)展和一些新進展，并根據(jù)當前國際上的發(fā)展趨勢，圍繞復旦大學應用表面物理國家重點實驗室過去十多年來所取得的各項研究成果，對Si分子束外延和Si1-xGex/Si低維量子體系的材料生長、表征、物理特性研究和器件應用等方面作了比較完整的介紹。 本書第1章介紹了Si1-xGex/Si體系的基本物理特性，第2章介紹了Si分子束外延設備、實時監(jiān)測分析技術及各種類型的Si1-xGex/Si材料的外延生長技術，第3章介紹了Si1-xGex/Si異質材料的表征，第4、5章分別論述和介紹了Si1-xGex/Si異質結、超晶格和量子阱的電學和光學特性，同時也介紹了最新發(fā)展的Si基Ge量子點研究，第6章介紹了量子點的生長及其光學和電學特性，第7章介紹了Si1-xGex/Si異質結材料在器件方面的應用。 本書可作為半導體物理、材料測試及器件制備等相關領域的研究人員及研究生的參考書。特別對于希望從事Si1-xGex/Si材料、物理和器件研究的科學工作者，本書可作為一本入門的參考資料。
書籍目錄
《科學前沿叢書》序本書序前言第1章 Si1-xGex/Si合金應變層及超晶格的基本性質 1.1 Si1-xGex合金應變層內的應力 1.2 Si1-xGex/Si異質材料的共度生長臨界厚度 1.3 Si1-xGex/Si應變層超晶格的應變特性 1.4 Si1-xGex/Si異質結構的能帶排列 1.5 Si1-xGex/Si量子阱和超晶格的電子態(tài)第2章 Si分了束外延生長技術 2.1 Si分子束外延設備簡介 2.2 原位分析與監(jiān)控 2.3 分子束外延中襯底材料的表面處理技術 2.4 Si、Ge材料的外延生長第3章 Si1-xGex/Si超晶格、量子阱的結構表征 3.1 X射線散射和衍射 3.2 透射電子顯微觀察 3.3 盧瑟福背散射譜 3.4 俄歇電子能譜和二次離子質譜深度剖析第4章 Si1-xGex/Si低維結構材料的電學性質 4.1 Si1-xGex/Si量子阱結構的C-V特性 4.2 量子井結構的導納譜研究 4.3 用異納譜研究Si1-xGex/Si量子阱中的量子限制效應 4.4 用DLTS研究Si分子束外延層的界面缺陷第5章 Si1-xGex/Si異質結構和超晶格的光學特性 5.1 Si1-xGex/Si超晶格的光散射特性 5.2 Si1-xGex/Si量子阱的發(fā)光特性 5.3 Si1-xGex/Si異質結構的吸收、調制反射和非線性光譜第6章 Si基Ge量子點材料 6.1 Si基Ge量子點材料的生長、表征及其發(fā)光特性 6.2 Si基Ge量子點的能級結構和庫侖荷電效應 6.3 Si基Ge量子點的空穴俘獲過程的研究第7章 Si1-xGex/Si分子束外延材料的器件應用 7.1 Si1-xGex/Si基區(qū)HBT 7.2 Si1-xGex/Si埋溝MOS場效管 7.3 P+-Si1-xGex/Si異質結內光電發(fā)射型紅外探測器 7.4 Si1-xGex/Si多量子阱型探測器 7.5 Si1-xGex/Si光電集成電路索引
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